电致发光光致发光测试系统-PL&EL测试仪-RobotII 将未加工的发光材料的电致发光性能(EL)和光致发光性能（PL）做一个系统的描述。如EL谱、LIV、输出、斜率量子效率的特性、波长和FWHM位移曲线、和晶圆级均匀性、发射强度、峰值/主波长(WLP/WLD)、FWHM、驱动电压/电流等。无损检测且测量快速。凭借这种独特的性能，MaxMile ELPL技术为光电行业提供了前所未有的电致/光致发光解决方案，带来了新的性能和更高的效率。MaxMile ELPL电致/光致发光测试系统将专有EpiEL和PL技术结合到一个系统中，该系统可以（a）作为常规EpiEL系统，或者（b）作为常规PL测试系统，或者（c）作为ELPL组合测试系统。

MaxMile Robot I电致/光致发光系统是一款半自动测试系统，可以处理2”到8”的晶圆尺寸，而无需更改任何硬件。它可以选择支持最大12英寸的晶圆尺寸。采用业界最新的解决方案，所有关键部件包括系统平台、晶片对准器和盒式载卸台（仅支持1个）等均从零开始设计，强调功能性、可靠性和简单性。该系统具有优越的性能、通用性和可靠性，并且易于掌握和操作，能够以新的能力和更好的效率促进光电研发和产业的发展。

技术参数：

• 外延片尺寸：2-8”（最高可定制12”）
• 工作台尺寸：57 ”×32”×68”
• 晶片加载：自动
• 盒载卸台：最大3个
• 光谱检测范围：200-800nm
• 光谱分辨率：0.5-2nm（取决于光谱范围）

测试项目:

1、电致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。
• 电流—正向电流/电压，导通电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻，顶部电阻 正向漏电流，串接电阻，理想因子等。

2、光致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。

3、IV特性Mapping ：

• 正向电流/电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻等

4、其他特性Mapping ：

• 翘曲度
• 薄膜厚度

*（对于上述所有测试项目，无论mapping还是快速测试均可做布局图）

测试曲线类型：

• 特定驱动电流/电压的电致发光光谱
• 光致发光谱
• LIV—电流/发光强度—电压
• 输出强度—驱动电流
• 波长&半高宽—驱动电流
• 反向IV

激发源：

• EL: Keithley数字电源
• PL:405nm光源（其他波长可定制）
• 探针类型：Type I, Type IA, Type II, Type IIA, Type IIB, Type IIC, and GaN-on-Si
• 电流测试：>10^-12A
• 采样点/采样步骤：

1. 电致发光采样点和每个点的光/电测量步骤都可由最终用户设置。
2. 光致发光采样点可以由最终用户根据需求设置（高分辨率模式应用于高标准的应用，快速扫描模式可用批量生产）

• 测试时间：约0.5-12分钟/外延片（取决于测试类型、采样点、检测协议和测量步距设置。光致发光选项扫描速度是每秒最多达50点。）
• Mapping颜色编码: 彩虹色，渐变色，二元色，温度，灰色，或任何由最终用户指定的颜色类型。
• 输入电压：15A/110VAC 或是10A/220VAC（最大电压）;
• 环境条件：

1. 温度： 15 - 30℃
2. 相对湿度：30％ -70％无凝结。
3. 自动测试系统需要真空

测试报告展示：

1、电致/光致发光Mapping图

2、电致/光致发光曲线图

电致发光光致发光测试系统-PL&EL测试仪-RobotII最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

电致发光光致发光测试仪-EL&PL测试仪-RobotI 产品描述：

电致发光光致发光测试仪-EL&PL测试仪-RobotI MaxMile外延片电致/光致发光技术为LED/LD行业提供了独特的表征解决方案。它可将未加工的发光材料的电致发光性能(EL)和光致发光性能（PL）做一个系统的描述。如EL谱、LIV、输出、斜率量子效率的特性、波长和FWHM位移曲线、和晶圆级均匀性、发射强度、峰值/主波长(WLP/WLD)、FWHM、驱动电压/电流等。无损检测且测量快速。凭借这种独特的性能，MaxMile ELPL技术为光电行业提供了前所未有的电致/光致发光解决方案，带来了新的性能和更高的效率。MaxMile ELPL电致/光致发光测试系统将专有EpiEL和PL技术结合到一个系统中，该系统可以（a）作为常规EpiEL系统，或者（b）作为常规PL测试系统，或者（c）作为ELPL组合测试系统。

MaxMile Robot I电致/光致发光系统是一款半自动测试系统，可以处理2”到8”的晶圆尺寸，而无需更改任何硬件。它可以选择支持最大12英寸的晶圆尺寸。采用业界最新的解决方案，所有关键部件包括系统平台、晶片对准器和盒式载卸台（仅支持1个）等均从零开始设计，强调功能性、可靠性和简单性。该系统具有优越的性能、通用性和可靠性，并且易于掌握和操作，能够以新的能力和更好的效率促进光电研发和产业的发展。

技术参数：

• 外延片尺寸：2-8”（最高可定制12”）
• 工作台尺寸：32”×32”×68 ”
• 晶片加载：手动/自动
• 盒载卸台：1个
• 光谱检测范围：200-800nm
• 光谱分辨率：0.5-2nm（取决于光谱范围）

测试项目:

1、电致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。
• 电流—正向电流/电压，导通电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻，顶部电阻 正向漏电流，串接电阻，理想因子等。

2、光致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。

3、IV特性Mapping ：

• 正向电流/电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻等

4、其他特性Mapping ：

• 翘曲度
• 薄膜厚度

*（对于上述所有测试项目，无论mapping还是快速测试均可做布局图）

测试曲线类型：

• 特定驱动电流/电压的电致发光光谱
• 光致发光谱
• LIV—电流/发光强度—电压
• 输出强度—驱动电流
• 波长&半高宽—驱动电流
• 反向IV

激发源：

• EL: Keithley数字电源
• PL:405nm光源（其他波长可定制）
• 探针类型：Type I, Type IA, Type II, Type IIA, Type IIB, Type IIC, and GaN-on-Si
• 电流测试：>10^-12A
• 采样点/采样步骤：

1. 电致发光采样点和每个点的光/电测量步骤都可由最终用户设置。
2. 光致发光采样点可以由最终用户根据需求设置（高分辨率模式应用于高标准的应用，快速扫描模式可用批量生产）

• 测试时间：约0.5-12分钟/外延片（取决于测试类型、采样点、检测协议和测量步距设置。光致发光选项扫描速度是每秒最多达50点。）
• Mapping颜色编码: 彩虹色，渐变色，二元色，温度，灰色，或任何由最终用户指定的颜色类型。
• 输入电压：15A/110VAC 或是10A/220VAC（最大电压）;
• 环境条件：

1. 温度： 15 - 30℃
2. 相对湿度：30％ -70％无凝结。
3. 自动测试系统需要真空

测试报告展示：

1、电致/光致发光Mapping图

2、电致/光致发光曲线图

电致发光光致发光测试仪-EL&PL测试仪-RobotI最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

EpiEL测试仪-光致发光电致发光测试仪-Maxmile 无需任何高成本和耗时的设备制造，即可使未加工发光材料作为成品设备（如LED）通过电致发光测量，无损检测且测量快速。凭借这种独特的性能，MaxMile EpiEL技术为光电（特别是固态照明）行业提供了前所未有的电致发光解决方案，带来了新的性能和更高的效率。它结合了优异的性能、多功能性和可靠性，易于学习操作。

以光电方面的基本应用研究&发展为前提，Maxmile电致发光映射系统开发了以下功能：

• 晶片设备性能测量；
• 无损快速的电致发光技术和晶片级电致发光映射技术；
• 材料动向的快速反馈；
• 无晶片材料和系统的开发；

在工业产品的开发，工艺监测和质量监控方面，电致发光映射系统在质量监控和成本效益中有优异的权衡：

• 为方法的改进、进度和系统优化提供及时响应；
• 为材料增长提供设备质量控制；
• 在晶片评估/筛选到设备排序之间，启用高容量特性化；

广泛应用于不同材料：电致发光映射系统设计可以用于任何具备电致发光功能的半导体基发光外延材料，无论是LD或LED的材料结构。

主要特征：

• 晶片电致发光测试
• 快速EL和EL映射
• 无损检测、快速测量
• 图形系统化控制
• 直观的系统软件
• 一键式操作
• 无需样品制备，高生产率
• 探针自动初始化
• 自动化wafer-size识别
• 大屏幕显示，易使用且更高效
• 高度定制的系统配置
• 多功能探针
• 可根据不同的测试需求选择探针
• 自动生成报告
• 灵活地显示测试结果
• 广泛的数据分析套装软件

EpiEL测试仪-光致发光电致发光测试仪-Maxmile 技术参数：

• 晶片尺寸： 2，3，4英寸晶片（定制可达12英寸）。
• 机台运动控制：精度< 6微米，步分辨率< 0.5微米。
• 光检测：传输模式标准；反射模式将是可选的（与不透明衬底的样品） 。
• 探针类型：I型和II型。
• 探针台：实验室或生产版本。
• 扫描速度：根据应用程序，每100采样点约4-20分钟
• 采样点：最终用户指定采样点数量和每个点的光/电测量。
• 测试模式：快速发光或发光映射模式。
• 映射类型：共发射强度，外部量子效率，峰值波长或强度，或给定驱动电流或电压的半高宽，给定的驱动电流或特定波长的发光强度，等等。其他LED参数映射值可以自定义。
• 曲线类型：在特定电流/电压的发光光谱来看，当前或放射性强度与电压（ LIV ），输出特点：强度与驱动电流，半峰全宽或峰波长与驱动等。
• 映射颜色编码：彩虹色，渐变色，二元色，温度，灰色或其它由最终用户指定的颜色类型。
• 波长检测： UV / VIS或VIS / IR ，或自定义。
• 电流测量：标准> 10E -6A ，可选项> 10E -12A。
• 选项：PL特性（ EL -300 ），增强的电气特性（ EL-500 ），反向漏特性，LD特性。

EpiEL测试仪-光致发光电致发光测试仪-Maxmile最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

LED外延片PL&EL测试仪-电致发光测试仪 可将未加工的发光材料的电致发光性能(EL)和光致发光性能（PL）做一个系统的描述。如EL谱、LIV、输出、斜率量子效率的特性、波长和FWHM位移曲线、和晶圆级均匀性、发射强度、峰值/主波长(WLP/WLD)、FWHM、驱动电压/电流等。MaxMile ELPL电致/光致发光测试系统将专有EpiEL和PL技术结合到一个系统中，该系统可以（a）作为常规EpiEL系统，或者（b）作为常规PL测试系统，或者（C）作为ELPL组合测试系统。它们具有优越的性能、通用性和可靠性，并且易于掌握和操作，能够以新的能力和更好的效率促进光电研发和产业的发展。此外，在ELPL测试系统中，所有的电致发光和光致发光信息都被有效地集成到一个统一的数据结构和用户界面中，使数据浏览和材料信息调查非常简单和直观。

 

自动版

技术参数：

• 外延片尺寸：2-8”（最高可定制12”）
• 光谱检测范围：200-800nm
• 光谱分辨率：0.5-2nm（取决于光谱范围）

测试项目:

1、电致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。
• 电流—正向电流/电压，导通电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻，顶部电阻 正向漏电流，串接电阻，理想因子等。

2、光致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。

3、IV特性Mapping ：

• 正向电流/电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻等

4、其他特性Mapping ：

• 翘曲度
• 薄膜厚度

*（对于上述所有测试项目，无论mapping还是快速测试均可做布局图）

测试曲线类型：

• 特定驱动电流/电压的电致发光光谱
• 光致发光谱
• LIV—电流/发光强度—电压
• 输出强度—驱动电流
• 波长&半高宽—驱动电流
• 反向IV

激发源：

• EL: Keithley数字电源
• PL:405nm光源（其他波长可定制）
• 探针类型：Type I, Type IA, Type II, Type IIA, Type IIB, Type IIC, and GaN-on-Si
• 电流测试：>10^-12A
• 采样点/采样步骤：

1. 电致发光采样点和每个点的光/电测量步骤都可由最终用户设置。
2. 光致发光采样点可以由最终用户根据需求设置（高分辨率模式应用于高标准的应用，快速扫描模式可用批量生产）

• 测试时间：约0.5-12分钟/外延片（取决于测试类型、采样点、检测协议和测量步距设置。光致发光选项扫描速度是每秒最多达50点。）
• Mapping颜色编码: 彩虹色，渐变色，二元色，温度，灰色，或任何由最终用户指定的颜色类型。
• 输入电压：15A/110VAC 或是10A/220VAC（最大电压）;
• 环境条件：

1. 温度： 15 - 30℃
2. 相对湿度：30％ -70％无凝结。
3. 自动测试系统需要真空

测试报告展示：

1、电致/光致发光Mapping图

2、电致/光致发光曲线图

LED外延片PL&EL测试仪-电致发光测试仪最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。