Otsuka全光束测量系统-照明用全光束测量系统 HM/FM系列是Otsuka研发的全光通量测量系统，符合IESNA LM79 和 LM-80相关标准，适用于测量从LED到照明器具等各种光源的总光通量。HM/FM系列兼容各种应用，可根据样品尺寸选配多种规格的积分球或积分半球，在低温到高温的大范围温度环境下测量，可以测量的技术参数包括：总光通量，总辐射通量(光谱)，SDCM，CIE色度坐标，色温，主色，色纯度 ，显色指数（Ra, R1～R15）等。HM系列照明方向是可变的，可以达到实际的照明位置。由于发光体位于积分球中，可以消除自吸收误差。与传统积分球相比具有双重灵敏度，最适合表面光源（2pi光源）。并且固定装置位于半球之外，样品温度控制方便（高亮度光源），还可以将设备自身的阴影最小化，适用于大型照明设备（设备尺寸最大为球体直径的1/3）。FM系列可以容纳最大2400mm荧光灯管，具有自吸收校正功能。

产品亮点：

• 科容纳最大2400mm荧光灯管
• 符合ESNA LM79和LM-80相关标准
• 采用高性能阵列光谱仪，动态范围广
• 球体直径范围广，可选φ250mm到φ3,000mm
• 提供L-I-V，脉冲，PWM，温控（-40c至+ 200c）测量
• 适用PWM（脉冲宽度调制）

Otsuka全光束测量系统-照明用全光束测量系统 应用范围：

• LED灯及照明设备
• 各种光源

技术参数：

• 波长范围：360 nm～1100 nm
• 积分球规格：φ250、φ300、φ500、φ1000、φ1650、φ2000、φ3000mm
• 测量范围：0.07～960000 lm
• 样品尺寸：< φ70/240/285/465/545/845 mm
• 积分半球规格：φ300、φ500、φ1000、φ1650、φ2000 mm
• 测量范围：0.01～120000 lm
• 样品尺寸：< φ100/160/330/550/660 mm
• 标准灯1：全光束，40lm,<5W,<5V
• 标准灯2：全光束，600lm,<35W,<13V
• 标准灯3：全光束，3000lm,<200W,<100V
• 自吸收校正灯：如上
• 灯具功率：± 0.1 %,± 2.0 mA
• 灯具开关：光通量标准灯和自吸收校正灯通过一个灯具电源打开/关闭。
• 温度控制单元：标准灯，高温灯，循环冷却灯，广范围型，极冷却型
• 温度范围：-110～150℃
• 探测器：阵列光谱仪

测量项目：

• 总光通量〔JIS C 7801：2009 / JIS C 8152：2007〕
• 总辐射通量（光谱）
• SDCM
• 色度坐标（u，v）〔CIE 1960UCS〕
• 色度坐标（x，y）〔JIS Z 8724：1997〕
• 色度坐标（u'，v'）〔CIE 1976UCS〕
• 色温和色度〔JIS Z 8725：1999〕
• 显性和纯度〔JIS Z 8701：1999〕
• 显色指数（Ra，R1〜R15）〔JIS Z 8726：1990〕

系统配置：

Otsuka全光束测量系统-照明用全光束测量系统最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

Otsuka-MCPD9800-高精度光谱仪-多功能光谱仪 产品描述：

Otsuka-MCPD9800-高精度光谱仪-多功能光谱仪 是一款涵盖紫外到近红外波长范围的多用途光谱仪，最短的测量时间可达5ms，利用光纤探头，可以配置多种光学器件，可用于测量发光光谱透射/吸收光谱，反射光谱，光致发光，物体颜色，光源颜色（色度，亮度，照度），膜厚，等离子体发射光谱等对象，可以测量的技术参数包括微点光谱、光源、透射率、反射率、物体颜色和厚度等。

工作原理：

MCPD-9800具有十二个波长范围，配备了通用USB端口和LAN端口，可以通过512ch或1024ch探测器以5 msec的间隔监视UV / VIS / NIR光谱，进行高速和高灵敏度频谱采集。产品使用标准光纤，可以配置柔性光学器件，免受样品形状和大小的任何限制。此外，可以轻松地集成到显微镜和大样品台，实现卓越的光学性能。MCPD系列均符合日本工业标准（JIS Z 8724）对光谱仪产品的质量和精度要求。

技术参数：

测量参数

• 光谱范围：220~850nm/300~950nm/360~830nm/360-1100nm/900~1600nm
• 分光器：平面场型
• 探测器(ch)：电子冷却CCD图像传感器/电热冷却InGaAs图像传感器
• 理论分辨率：0.5/0.7/0.8/1.0/1.4/1.6/1.9
• 光纤：石英制显微，开口直径φ12mm，长约2m/掺锗石英纤维，长约2m
• 扫描时间：5ms~20s/1ms-10s
• 通信接口：USB或LAN
• 功耗：124VA，单相AC100~240V，50/60Hz
• 尺寸：105W x 230H x 280Dmm
• 重量：6.0kg

升级选项： 

• 光谱仪规格可选（2285C/3095C/3683C/311C/916C）
• 标准版本（MCPD-6800）
• 高灵敏度版本（MCPD-7700）
• 各类光纤（投光/投光+受光/浸液式/多分路）
• 光源部件（单波长光源/D2/I2灯/佳能灯/卤素灯）
• 光学单元（窥视镜/积分球单元/溶液测量单元/集光单元/显微单元）
• 校正补偿配件（波长校正用光源/标准白板/已校正ND滤片/反射率标准样品）
• 测量、分析用软件（光源色测量/物体色测量/膜厚测量）

Otsuka-MCPD9800-高精度光谱仪-多功能光谱仪最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

EpiEL测试仪-光致发光电致发光测试仪-Maxmile 无需任何高成本和耗时的设备制造，即可使未加工发光材料作为成品设备（如LED）通过电致发光测量，无损检测且测量快速。凭借这种独特的性能，MaxMile EpiEL技术为光电（特别是固态照明）行业提供了前所未有的电致发光解决方案，带来了新的性能和更高的效率。它结合了优异的性能、多功能性和可靠性，易于学习操作。

以光电方面的基本应用研究&发展为前提，Maxmile电致发光映射系统开发了以下功能：

• 晶片设备性能测量；
• 无损快速的电致发光技术和晶片级电致发光映射技术；
• 材料动向的快速反馈；
• 无晶片材料和系统的开发；

在工业产品的开发，工艺监测和质量监控方面，电致发光映射系统在质量监控和成本效益中有优异的权衡：

• 为方法的改进、进度和系统优化提供及时响应；
• 为材料增长提供设备质量控制；
• 在晶片评估/筛选到设备排序之间，启用高容量特性化；

广泛应用于不同材料：电致发光映射系统设计可以用于任何具备电致发光功能的半导体基发光外延材料，无论是LD或LED的材料结构。

主要特征：

• 晶片电致发光测试
• 快速EL和EL映射
• 无损检测、快速测量
• 图形系统化控制
• 直观的系统软件
• 一键式操作
• 无需样品制备，高生产率
• 探针自动初始化
• 自动化wafer-size识别
• 大屏幕显示，易使用且更高效
• 高度定制的系统配置
• 多功能探针
• 可根据不同的测试需求选择探针
• 自动生成报告
• 灵活地显示测试结果
• 广泛的数据分析套装软件

EpiEL测试仪-光致发光电致发光测试仪-Maxmile 技术参数：

• 晶片尺寸： 2，3，4英寸晶片（定制可达12英寸）。
• 机台运动控制：精度< 6微米，步分辨率< 0.5微米。
• 光检测：传输模式标准；反射模式将是可选的（与不透明衬底的样品） 。
• 探针类型：I型和II型。
• 探针台：实验室或生产版本。
• 扫描速度：根据应用程序，每100采样点约4-20分钟
• 采样点：最终用户指定采样点数量和每个点的光/电测量。
• 测试模式：快速发光或发光映射模式。
• 映射类型：共发射强度，外部量子效率，峰值波长或强度，或给定驱动电流或电压的半高宽，给定的驱动电流或特定波长的发光强度，等等。其他LED参数映射值可以自定义。
• 曲线类型：在特定电流/电压的发光光谱来看，当前或放射性强度与电压（ LIV ），输出特点：强度与驱动电流，半峰全宽或峰波长与驱动等。
• 映射颜色编码：彩虹色，渐变色，二元色，温度，灰色或其它由最终用户指定的颜色类型。
• 波长检测： UV / VIS或VIS / IR ，或自定义。
• 电流测量：标准> 10E -6A ，可选项> 10E -12A。
• 选项：PL特性（ EL -300 ），增强的电气特性（ EL-500 ），反向漏特性，LD特性。

EpiEL测试仪-光致发光电致发光测试仪-Maxmile最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

电致发光光致发光测试仪-EL&PL测试仪-RobotI 产品描述：

电致发光光致发光测试仪-EL&PL测试仪-RobotI MaxMile外延片电致/光致发光技术为LED/LD行业提供了独特的表征解决方案。它可将未加工的发光材料的电致发光性能(EL)和光致发光性能（PL）做一个系统的描述。如EL谱、LIV、输出、斜率量子效率的特性、波长和FWHM位移曲线、和晶圆级均匀性、发射强度、峰值/主波长(WLP/WLD)、FWHM、驱动电压/电流等。无损检测且测量快速。凭借这种独特的性能，MaxMile ELPL技术为光电行业提供了前所未有的电致/光致发光解决方案，带来了新的性能和更高的效率。MaxMile ELPL电致/光致发光测试系统将专有EpiEL和PL技术结合到一个系统中，该系统可以（a）作为常规EpiEL系统，或者（b）作为常规PL测试系统，或者（c）作为ELPL组合测试系统。

MaxMile Robot I电致/光致发光系统是一款半自动测试系统，可以处理2”到8”的晶圆尺寸，而无需更改任何硬件。它可以选择支持最大12英寸的晶圆尺寸。采用业界最新的解决方案，所有关键部件包括系统平台、晶片对准器和盒式载卸台（仅支持1个）等均从零开始设计，强调功能性、可靠性和简单性。该系统具有优越的性能、通用性和可靠性，并且易于掌握和操作，能够以新的能力和更好的效率促进光电研发和产业的发展。

技术参数：

• 外延片尺寸：2-8”（最高可定制12”）
• 工作台尺寸：32”×32”×68 ”
• 晶片加载：手动/自动
• 盒载卸台：1个
• 光谱检测范围：200-800nm
• 光谱分辨率：0.5-2nm（取决于光谱范围）

测试项目:

1、电致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。
• 电流—正向电流/电压，导通电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻，顶部电阻 正向漏电流，串接电阻，理想因子等。

2、光致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。

3、IV特性Mapping ：

• 正向电流/电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻等

4、其他特性Mapping ：

• 翘曲度
• 薄膜厚度

*（对于上述所有测试项目，无论mapping还是快速测试均可做布局图）

测试曲线类型：

• 特定驱动电流/电压的电致发光光谱
• 光致发光谱
• LIV—电流/发光强度—电压
• 输出强度—驱动电流
• 波长&半高宽—驱动电流
• 反向IV

激发源：

• EL: Keithley数字电源
• PL:405nm光源（其他波长可定制）
• 探针类型：Type I, Type IA, Type II, Type IIA, Type IIB, Type IIC, and GaN-on-Si
• 电流测试：>10^-12A
• 采样点/采样步骤：

1. 电致发光采样点和每个点的光/电测量步骤都可由最终用户设置。
2. 光致发光采样点可以由最终用户根据需求设置（高分辨率模式应用于高标准的应用，快速扫描模式可用批量生产）

• 测试时间：约0.5-12分钟/外延片（取决于测试类型、采样点、检测协议和测量步距设置。光致发光选项扫描速度是每秒最多达50点。）
• Mapping颜色编码: 彩虹色，渐变色，二元色，温度，灰色，或任何由最终用户指定的颜色类型。
• 输入电压：15A/110VAC 或是10A/220VAC（最大电压）;
• 环境条件：

1. 温度： 15 - 30℃
2. 相对湿度：30％ -70％无凝结。
3. 自动测试系统需要真空

测试报告展示：

1、电致/光致发光Mapping图

2、电致/光致发光曲线图

电致发光光致发光测试仪-EL&PL测试仪-RobotI最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

LED外延片PL&EL测试仪-电致发光测试仪 可将未加工的发光材料的电致发光性能(EL)和光致发光性能（PL）做一个系统的描述。如EL谱、LIV、输出、斜率量子效率的特性、波长和FWHM位移曲线、和晶圆级均匀性、发射强度、峰值/主波长(WLP/WLD)、FWHM、驱动电压/电流等。MaxMile ELPL电致/光致发光测试系统将专有EpiEL和PL技术结合到一个系统中，该系统可以（a）作为常规EpiEL系统，或者（b）作为常规PL测试系统，或者（C）作为ELPL组合测试系统。它们具有优越的性能、通用性和可靠性，并且易于掌握和操作，能够以新的能力和更好的效率促进光电研发和产业的发展。此外，在ELPL测试系统中，所有的电致发光和光致发光信息都被有效地集成到一个统一的数据结构和用户界面中，使数据浏览和材料信息调查非常简单和直观。

 

自动版

技术参数：

• 外延片尺寸：2-8”（最高可定制12”）
• 光谱检测范围：200-800nm
• 光谱分辨率：0.5-2nm（取决于光谱范围）

测试项目:

1、电致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。
• 电流—正向电流/电压，导通电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻，顶部电阻 正向漏电流，串接电阻，理想因子等。

2、光致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。

3、IV特性Mapping ：

• 正向电流/电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻等

4、其他特性Mapping ：

• 翘曲度
• 薄膜厚度

*（对于上述所有测试项目，无论mapping还是快速测试均可做布局图）

测试曲线类型：

• 特定驱动电流/电压的电致发光光谱
• 光致发光谱
• LIV—电流/发光强度—电压
• 输出强度—驱动电流
• 波长&半高宽—驱动电流
• 反向IV

激发源：

• EL: Keithley数字电源
• PL:405nm光源（其他波长可定制）
• 探针类型：Type I, Type IA, Type II, Type IIA, Type IIB, Type IIC, and GaN-on-Si
• 电流测试：>10^-12A
• 采样点/采样步骤：

1. 电致发光采样点和每个点的光/电测量步骤都可由最终用户设置。
2. 光致发光采样点可以由最终用户根据需求设置（高分辨率模式应用于高标准的应用，快速扫描模式可用批量生产）

• 测试时间：约0.5-12分钟/外延片（取决于测试类型、采样点、检测协议和测量步距设置。光致发光选项扫描速度是每秒最多达50点。）
• Mapping颜色编码: 彩虹色，渐变色，二元色，温度，灰色，或任何由最终用户指定的颜色类型。
• 输入电压：15A/110VAC 或是10A/220VAC（最大电压）;
• 环境条件：

1. 温度： 15 - 30℃
2. 相对湿度：30％ -70％无凝结。
3. 自动测试系统需要真空

测试报告展示：

1、电致/光致发光Mapping图

2、电致/光致发光曲线图

LED外延片PL&EL测试仪-电致发光测试仪最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

显微分光膜厚仪OPTMseries-光学膜厚仪-光学膜厚测试仪 是一套快速、准确的显微分光膜厚测量仪，通过测量显微区域的绝对光谱反射率，能够非常精确地分析薄膜厚度和光学常数，可以在多层薄膜和薄膜，晶片和光学材料等各种涂层上进行非破坏性和非接触式厚度测量，测量速度可达1秒/点。可以测量的技术参数包括：绝对反射率测量厚度分析，光学常数分析（n：折射率k：消光系数）。

工作原理：

Otsuka使用光干涉法和高性能光谱仪提供高精度的非接触式和非破坏性厚度测量。光干涉法是使用分光光度计光学器件反射率的光学厚度分析技术。 以金属基材上的涂膜为例，从上方照射的光束在涂层表面（R1）上反射。此外，透射光束在基材或边界（R2）上反射。根据由光程差和相移引起的光干涉行为，可以使用反射光谱和折射率来计算膜厚度。分析算法为峰谷法，快速傅里叶变换（FFT）方法，非线性最小二乘法和优化方法。

OPTM系列膜厚测量所需的所有功能都集成在测量头中，可使用显微镜进行高精度的绝对反射率测量（多层膜的厚度和光学常数）。这款光学系统，可使用显微镜在宽波长范围（紫外至近红外）进行测量每点少于1秒的高速测量并且配有带区域传感器的安全装置。简易分析向导，任何人，甚至未经培训的操作人员，都可以轻松进行光学常数分析。软件程序包括用于定制测量序列的宏功能，可以进行各种自定义。

技术参数：

测量参数

• 光谱范围：230~800nm/360~1100nm/900~1600nm
• 膜厚范围：1nm~35μm/7nm~49μm/16nm~92μm
• 样品尺寸：Max. 200 x 200 x 17 mm
• 点径：φ5μm（反射40倍镜头），改造后可达3μm
• 测量时间：1秒/点
• 尺寸：本体（W555xD537xH559mm），控制单元（W500xD180xH288mm）
• 功耗：750VA
• 可选电压：AC 90 -110 V / 200-240 V

自动XY平台类型：

• 尺寸(WDH)：556×566×618mm
• 重量：66kg
• 最大功耗：500VA

固定框架类型：

• 尺寸(WDH)：368×468×491mm
• 重量：38kg
• 最大功耗：400VA

内置测量头类型：

• 尺寸(WDH)：210×441×474mm/90×250×190mm
• 重量：23/4 kg
• 最大功耗：400VA

升级选项： 

• 光谱仪规格可选（OPTM-A1/OPTM-A2/OPTM-A3）
• 根据具体测试需求，接受定制

测量案例：

显微分光膜厚仪OPTMseries-光学膜厚仪-光学膜厚测试仪最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

Otsuka高速近场配光测量系统RH50-LED光源配光仪 产品描述：

Otsuka高速近场配光测量系统RH50-LED光源配光仪 是一套专门针对微小样品的高速近场配光测量系统，通过单次测量即可获得紫外/近红外和可见光范围内的照度分布、配光曲线、强光评价等光学参数。桌上型设备，设计紧凑，节省空间并且操作方便。样品设置对位简单，即便是数μm的偏差也可用自动平台调整。由于测量时样品保持静止，无样品破损风险，不断线，点灯位置不变动，特别适用于MicroLED等小型光源的配光测量。

Otsuka高速近场配光测量系统RH50-LED光源配光仪 工作原理：

远场配光测量常将光线作为点光源进行测量，配光数据只有一个。相比之下，近场配光测量是将灯具所发射的光源作为面光源进行测量，可获取每个发光点的配光数据。RH50可进行超高速测量，最短仅需17分钟，是传统方法的1/140。单次测量即可获取2Π空间的全方位光线，可用于获取光线数据，远近照度分布解析和所有距离的配光特性。对位简单，无需进行繁琐的手动调整，一键点击平台可自动调整。探测器是2轴驱动，无需在测量过程中移动样品，避免破损风险，断线和点灯位置变动的风险。还可通过搭载光学模拟软件，将测量数据转换成其他可用形式。例如，用于测量微型LED时，可确认任何距离观察到的亮点和暗点，可判断是否符合目标光线的投射方向。

Otsuka高速近场配光测量系统RH50-LED光源配光仪 技术参数：

测量参数

• 样品尺寸：φ＜50 mm
• 测量区域：50 x 50 mm
• 设备尺寸：W620 x D720 x H866 mm
• 测量时间：约17min
• 测量角度范围和间隔：X:±130°、Y：±90°
• 最小间隔：0.1°
• 探测器：二次元传感器（紫外、可见光、近红外类型）
• 测量项目：

1. 紫外/近红外型：光线数据、配光
2. 可见光：亮度光线数据、配光、照度、光度、全光束

升级选项： 

• 探测器可选（紫外、可见光、近红外）
• 根据具体测试需求，接受定制

测量案例：

Otsuka高速近场配光测量系统RH50-LED光源配光仪最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

Otsuka ELSZ2000粒度仪-激光粒度仪-激光粒度分析仪 是一套功能强大且多用途的界达电位&粒径 测量系统，能高精度地测量稀溶液到浓溶液的zeta电位和粒径，此外还新增加了分子量分析功能(粒径:0.6nm-10um/浓度范围:0.00001%-40%)。电渗透测量能够使用微体(130ul)一次性电池对zeta电位进行高精度分析。此外，新的自动温度梯度功能，扩大了0℃和90℃之间的范围，使熔点和相变点分析成为可能。

工作原理：

粒径的原理：动态光散射法（光子相关法）。分散在溶液中的微粒通常会发生布朗运动。较大的粒子运动较慢，较小的粒子运动较快。当激光在布朗运动的影响下照亮粒子时，来自粒子的散射光会显示出与单个粒子相对应的波动。根据针孔型光子检测方法观察到波动，从而计算出粒径和粒径分布。

Zeta电位测量原理：激光多普勒法。在大多数情况下，胶体颗粒具有正电荷或负电荷。当将电场施加到颗粒分散体时，颗粒沿相反电荷的方向迁移。随着粒子在迁移过程中受到照射，散射光会根据电泳迁移率引起多普勒频移，该方法称为激光多普勒法。
电渗透表示在zeta电势测量后细胞内部发生的液体流动。如果细胞壁带电，则介质中的抗衡离子会迁移到细胞壁。这是抗衡离子迁移到细胞壁中的一个电极并迁移到细胞中心附近的另一电极的现象。通过测量表观电泳迁移率并分析电渗，有可能获得考虑到染色细胞的正确固定层并计算正确的界达电位。

使用高浓度电池的Zeta电位测量原理在于，由于多重散射或吸收效应，过去很难测量非常浓稠或着色的样品。目前，ELSZ系列的标准样品池能够测量较宽的样品浓度范围。此外，可以通过FST方法测量高度浓缩样品的Zeta电位。

技术参数：

测量参数

• Zeta电位：-200 ~ 200 mV
• 迁移率：-20 x 10^-4 ~20 x10^-4 cm^2/V/S
• 粒径：0.6nm~10000nm
• 分子量：360~2000 x 10^4
• 温度：0 ~ 90℃
• 浓度：粒径（0.00001%（0.1ppm）~40%）、Zeta电位：0.001%~40%
• 电源：100V±10%，50/60Hz，250VA
• 尺寸：380W x 600D x 210H
• 重量：约22kg

升级选项： 

• pH滴定仪测量
• dn/dc测量
• 各类Cell（微式、可抛式、粒径微量、粒径Flow、平板用、低导电率用等）

ELSZ2000粒度仪-激光粒度仪-激光粒度分析仪最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

电致发光光致发光测试系统-PL&EL测试仪-RobotII 将未加工的发光材料的电致发光性能(EL)和光致发光性能（PL）做一个系统的描述。如EL谱、LIV、输出、斜率量子效率的特性、波长和FWHM位移曲线、和晶圆级均匀性、发射强度、峰值/主波长(WLP/WLD)、FWHM、驱动电压/电流等。无损检测且测量快速。凭借这种独特的性能，MaxMile ELPL技术为光电行业提供了前所未有的电致/光致发光解决方案，带来了新的性能和更高的效率。MaxMile ELPL电致/光致发光测试系统将专有EpiEL和PL技术结合到一个系统中，该系统可以（a）作为常规EpiEL系统，或者（b）作为常规PL测试系统，或者（c）作为ELPL组合测试系统。

MaxMile Robot I电致/光致发光系统是一款半自动测试系统，可以处理2”到8”的晶圆尺寸，而无需更改任何硬件。它可以选择支持最大12英寸的晶圆尺寸。采用业界最新的解决方案，所有关键部件包括系统平台、晶片对准器和盒式载卸台（仅支持1个）等均从零开始设计，强调功能性、可靠性和简单性。该系统具有优越的性能、通用性和可靠性，并且易于掌握和操作，能够以新的能力和更好的效率促进光电研发和产业的发展。

技术参数：

• 外延片尺寸：2-8”（最高可定制12”）
• 工作台尺寸：57 ”×32”×68”
• 晶片加载：自动
• 盒载卸台：最大3个
• 光谱检测范围：200-800nm
• 光谱分辨率：0.5-2nm（取决于光谱范围）

测试项目:

1、电致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。
• 电流—正向电流/电压，导通电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻，顶部电阻 正向漏电流，串接电阻，理想因子等。

2、光致发光Mapping ：

• 波长—WLP/WLD/WLC （峰值/主/中心）波长，半高宽度。
• 发光强度—辐射/发光功率，量子转换效率。

3、IV特性Mapping ：

• 正向电流/电压，反向漏电流/电压，阈值电压，导通电阻等

4、其他特性Mapping ：

• 翘曲度
• 薄膜厚度

*（对于上述所有测试项目，无论mapping还是快速测试均可做布局图）

测试曲线类型：

• 特定驱动电流/电压的电致发光光谱
• 光致发光谱
• LIV—电流/发光强度—电压
• 输出强度—驱动电流
• 波长&半高宽—驱动电流
• 反向IV

激发源：

• EL: Keithley数字电源
• PL:405nm光源（其他波长可定制）
• 探针类型：Type I, Type IA, Type II, Type IIA, Type IIB, Type IIC, and GaN-on-Si
• 电流测试：>10^-12A
• 采样点/采样步骤：

1. 电致发光采样点和每个点的光/电测量步骤都可由最终用户设置。
2. 光致发光采样点可以由最终用户根据需求设置（高分辨率模式应用于高标准的应用，快速扫描模式可用批量生产）

• 测试时间：约0.5-12分钟/外延片（取决于测试类型、采样点、检测协议和测量步距设置。光致发光选项扫描速度是每秒最多达50点。）
• Mapping颜色编码: 彩虹色，渐变色，二元色，温度，灰色，或任何由最终用户指定的颜色类型。
• 输入电压：15A/110VAC 或是10A/220VAC（最大电压）;
• 环境条件：

1. 温度： 15 - 30℃
2. 相对湿度：30％ -70％无凝结。
3. 自动测试系统需要真空

测试报告展示：

1、电致/光致发光Mapping图

2、电致/光致发光曲线图

电致发光光致发光测试系统-PL&EL测试仪-RobotII最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。

嵌入式膜厚仪-椭偏仪-膜厚测量仪-椭圆偏振光谱仪 是测量当线性偏振光照射到样品时反射光（椭圆偏振）时偏振的变化。当s和p波根据样本分别改变其相位和反射幅度时，可以获得量化偏振变化的幅度比“tanψ”和相位差“cosΔ”。 tanψ，cosΔ称为“椭圆参数”，其光谱通过“光谱椭偏仪”进行测量。Otsuka FE-5000/5000S膜厚测量仪除了基本的光谱椭圆仪系统外，自动角度调节机构还可以针对各种厚度进行高精度的膜厚测量。 可拆卸的缓速器和旋转分析仪还拓宽了可供测量的选择范围，并提高了测量精度。测量范围包括：椭圆参数（tanψ，cosΔ），光学常数分析（和：折射率，k：消光系数），厚度分析。

产品亮点：

• 椭圆光度法测量可见光和紫外线范围（250-800nm）
• 纳米级薄膜厚度
• 使用多通道光谱仪（超过400ch）进行快速测量
• 角度可调机构进行详细分析
• 通过光学常数数据库和配方注册功能实现高度可操作性
• 使用多层拟合分析进行光学常数测量，以控制膜厚度和膜性能

应用范围：

• 半导体晶圆(栅氧化薄膜，氮化膜 SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，多晶硅，ZnSe，BPSG，TiN 每种波长下抗蚀剂的光学常数)
• 复合半导体(AlxGa（1-x）As多层膜，非晶硅)
• FPD（平板显示器）(定向膜 ITO，MgO用于等离子显示器)
• 新材料(DLC（类金刚石），超导薄膜，磁头薄膜)
• 光学薄膜(TiO2，SiO2，多层膜，减反射膜，反射膜)
• 平版印刷(g射线（436nm），h射线（405nm），i射线（365nm），KrF（248nm）的光学常数 每种波长下抗蚀剂的光学常数)

技术参数：

• 测量样品：反光样品
• 样品尺寸：100x100mm
• 基本原理：旋转分析仪方法
• 膜厚范围：0.1 nm
• 照射（反射）角度：45～90°
• 照射（反射）角驱动方式：自动正弦驱动
• 点径：φ2.0/1.2
• tanψ精度：< ±0.01
• cosΔ精度：< ±0.01
• 可重复性：< 0.01%
• 波长范围：300-800nm/250-800 nm
• 探测器：多色仪（PDA, CCD）
• 光源：高稳定性氙气灯
• 平台驱动方式：手动/自动
• 尺寸：650（W)×400（D)×560（H）mm/1300（W)×900（D)×1750（H）mm
• 重量：50kg/350kg
• 软件分析：最小二乘薄膜分析（反射系数模型函数，Cauchy色散模型，nk-Cauchy色散模型）
• 理论分析（体表面分析（n.k.），角度相关性的同时分析

测量案例：

使用梯度模型进行ITO结构分析---应用FE0006。ITO（铟锡氧化物）是用于LCD显示器等平面显示器的透明电极材料。 ITO的成膜后，通过退火处理（热处理），可以提高ITO的导电性和色相。 那时，ITO的氧状态和结晶状态将发生变化。 该变化趋于相对于膜厚度逐步获得斜率变化，并且它不会变成光学组成均一的单层。 我们想介绍一种使用梯度模型来测量上下表面nk的倾斜度的情况。

嵌入式膜厚仪-椭偏仪-膜厚测量仪-椭圆偏振光谱仪最先出现在主动减振台-光谱辐射计-自相关仪-标准灯箱-固润光电。