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TeraSense-太赫兹源-太赫兹发生器-100GHz

TeraSense-太赫兹源-太赫兹发生器-100GHz

浏览次数:700 分类:太赫兹源

品牌:TeraSense,型号:100 GHz

TeraSense太赫兹源(IMPATT二极管)是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。IMPATT雪崩二极管是一种高功率半导体二极管,通常用于高频微波器件,频率覆盖几GHz到几百GHz。具有负电阻的IMPATT二极管自然可以用作高频信号生成中的振荡器。与其他微波二极管相比,IMPATT二极管的主要优势在于其相对较高的功率容量,紧凑小巧的外形封装。

TeraSense-太赫兹源-太赫兹发生器-100GHz 产品描述:

TeraSense-太赫兹源-太赫兹发生器-100GHz (IMPATT二极管)以过渡区为0.6 um的硅双漂移二极管为代表,安装在铜散热器上。双漂移二极管中的层是:重掺杂(p +)区,中掺杂(p +)区,中掺杂n区和重掺杂(n +)区。 (p +)和(n +)区域允许与外部电路形成欧姆电接触。该器件依靠负电阻来产生并维持振荡。 Terasense现在正在提供其太赫兹源的升级版本。升级后的IMPATT二极管配有保护隔离器,可显着提高输出功率的稳定性。用户可以订购带有开放式WR法兰或可拆卸喇叭天线的IMPATT二极管。在100 GHz处优化频率的太赫兹源的典型输出rfpower可以达到2 W。此外,TeraSense信号源符合人体工程学设计,简单易用,还可提供带有衰减器和开关部分的太赫兹发生器。

 

TeraSense-太赫兹源-太赫兹发生器-100GHz

 

TeraSense太赫兹源(IMPATT二极管)是一类非常高效的微波和亚太赫兹波产生器件。IMPATT雪崩二极管是一种高功率半导体二极管,通常用于高频微波器件,频率覆盖几GHz到几百GHz。具有负电阻的IMPATT二极管自然可以用作高频信号生成中的振荡器。与其他微波二极管相比,IMPATT二极管的主要优势在于其相对较高的功率容量,紧凑小巧的外形封装。IMPATT二极管具有非常窄的工作频率带宽,所以二极管内部尺寸必须根据相应的频率来设计。此外,与其他类型的微波负阻二极管相比,基于IMPATT的发生器可以实现更高的输出功率水平。IMPATT发生器也被证明是最有效、经济效益高的高频和大功率电源之一,使用寿命长,运行稳定可靠。

 

产品亮点:

采用IMPATT和GaAs肖特基技术

输出功率可达2 W

保护隔离器增强稳定性

TTL调制

计算机控制衰减

外形紧凑,成本低

 

应用范围

太赫兹安检系统  l

制药和化妆品无害无损检测(NDT)

食品/农产品扫描及检测

非金属材料(塑料、陶瓷、木材等)无损检测

汽车金属材料,零件,轮胎损坏情况检测

艺术品/文物无损检测

疾病检测,组织成像,血液检测

光束轮廓分析系统

 

升级选项:

可拆卸喇叭天线

带机械调谐的集成衰减器(旋钮)

集成衰减器,具有计算机控制调谐功能

高频调制选项(100MHz,1.5ns上升/下降时间)

频率可选100GHz,140GHz,200GHz,300GHz,600GHz

 

技术参数:

频率范围:100GHz

技术:IMPATT

输出射频功率:80 mW/180 mW/400 mW/800mW

调制方式:TTL调制(1us上升/下降时间)

输出方式:圆锥形喇叭天线/法兰式输出

隔离器:保护隔离器

 

全新升级款:

频率:95GHz

技术:IMPATT+放大器

输出射频功率:0.8W/1.8W

线宽:1MHz

调制方式:TTL调制

计算机控制衰减

内部衰减器可选

 

外部调制器(可选项):

基础频率:85-100GHz,140GHz

调制频率:<200MHz

开关时间:<2 ns

插入损耗:<1.5 dB

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微波及太赫兹天线(可选项):

频率范围:100GHz,140GHz,200GHz,300GHz

增益:25dB

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外部衰减器(可选项)

衰减:5dB,10dB,20dB

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